2002年度  SoC設計技術B(STARC寄附講座) 授業計画
対象:電気4年以上、通信3年以上、情報3年以上、及び大学院理工学研究科
 

最新情報

2002.9.27 
2002年度 「SoC設計技術B(STARC寄附講座)」単位取得者諸君へ
−「修了証授与式」についてー

SoC設計技術Bの単位取得者に対して、単位取得を証明する「修了証」をSTARC((株)半導体理工学研究センター)のご厚意により発行いただけることになりました。単位取得者に対する修了証授与式を下記日程で実施いたしますので、必ず集合してください。

日時: 10月15日(火) 18:00
場所: 52−101


2002.8.29 9月セミナー用VHDL問題「実習用準備演習」の解答を掲載しました。(学内からのみアクセス可)
          200209kotae.tar.gz
2002.8.29 9月セミナー用VHDL問題の訂正(学内からのみアクセス可)
          「課題5のタイミングチャートに誤りがありました. 正しいタイミングチャート
           timing-chart-teisei.xls の背景を緑色にした部分が訂正箇所です.」
           200209timing-chart-teisei.xls

2002.8.04 レポート提出 状況を更新しました。(学内からのみ参照可)
2002.7.26 成績について
          既に、本ページの下部でも周知済みのように、全てのレポートが提出され、かつ平均3以上(各レポートは0〜5段階で評価されます)なければ、Fになります。また、内容が同一のレポートがあった場合や、期限外提出の場合、減点されます。

2002.7.20 9月のセミナー受講者が決定しました。こちらを参照してください。(学内からのみ参照可能)

9月セミナー受講者は,セミナー資料,VHDL教材(HDL Endeabor),準備課題を渡しますので下記の日時に必ず取りに来てください.
VHDL教材は貸し出しです.
都合がどうしてもつかない方は,7月31日(水) 13:00〜15:00に受け取りにきてください.
両日共に無断で来ない場合には,セミナー受講を辞退したものとみなします.




2002.7.16 セミナー受講者リストは、今月末までに本ページに掲載します。
2002.7.16 最終的な出席状況レポート提出 状況を掲載しました。(学内からのみ参照可)
2002.7.09 出席状況レポート提出 状況を更新しました。(学内からのみ参照可)
2002.7.04 

2002.7.02 夏期集中セミナー受講者リストは、本Webページにて7月中旬〜下旬に公開予定です。希望した学生諸君は必ず本ページで受講可否を確認してください。
2002.7.01 出席状況レポート提出 状況を更新しました。(学内からのみ参照可)
2002.7.01 7/2課題を掲載しました。
2002.6.24 25日の課題に関する情報を掲載しました。
2002.6.19 6/18の課題を掲載しました。宇佐見先生の講義に関する質問はこちらまで(学内のみから参照可)。宇佐見先生ご自身から回答をもらうことができます。
2002.6.13 6/25に夏期集中セミナーの希望者の募集を実施する予定です。
2002.6.13 VHDL初級講座に関する課題を掲載しました。全員25日までに各自演習1〜3を完了しておくこと。
2002.6.11 6/4までの出席状況レポート提出 状況を掲載しました。(学内からのみ参照可)
2002.6.11 11日の課題を掲載しました。本日6限の実習方法・班分けに注意してください。
2002.6.04 4日の課題を掲載しました。
2002.5.31 28日の課題を掲載しました。
2002.5.22 21日の課題の提出方法を掲載しました。(4限と5限のレポートを別々に提出します)
2002.5.21 5/7までの出席状況レポート提出 状況を掲載しました。(学内からのみ参照可)
2002.5.14 下記6/11の6限の実習対象者説明に誤りがありましたので訂正しました。6限の実習を免除されるのは、「電子・情報学専攻の大学院学生、及び電子・情報通信学科の学生で、情報通信システムコースの学生、および、大附研究室の学生です。(逆に免除されないのは、電子・光システムコースの学生のうち、大附研究室の学生 を除いた学生です
2002.5.13 6月11日に追加で実習が行われることになりました。詳細を示しました ので各自確認してください。
2002.5.13 第二回の内山先生からFAQ が届きましたので、掲載しました。
2002.5.08 次回5月14日は休講となります。(下記スケジュールを確認のこと)
2002.5.07 本日の課題を掲載しました。
2002.5.07 学部及び大学院生で期間内に登録を行った全員が受講できることになりました。(無抽選)
2002.4.23 本日の課題を掲載しました。本日第二回目の受講者数は151名でした。
2002.4.16 本日の課題を掲載しました。
2002.4.16 本日第一回目の受講者数は約180名でした。
2002.3.26 本科目は抽選対象科目です。定員(100名)を超えた場合、抽選となります。このため、科目登録期間が一般の登録と異なりますので注意してください。 詳細を掲載しました。
2002.3.22 本ページを開設

 
授業日程(火曜4,5,6限 52−101) 2002.4〜2002.7 + セミナー(9月)

以下に授業の進め方の目安を示します。 なお、それぞれの回の内容は多少変わる可能性があります。 また、今後、以下の内容が変更される場合もあります。 なお、実際の授業の進捗状況によって、各回の授業内容が変わることもあ りますが、その場合には、実際の授業を優先させます。 


連絡事項
4限(14:40〜16:10)
5限(16:20〜17:50)

6限(18:00〜19:30)

16
レジュメ
配布

日経マイクロデバイス特別編集編配布

担当: 三木 (日立)
1章 システムLSIとは
  1.1 システムLSIとは何か
  1.2 システムLSIへの変貌
  1.3 システムLSIの役割
  1.4 高集積度化・微細化と問題点
  1.5 本講義の目的と構成
2章 システムLSI設計フロー
  2.1 システムLSIの実現方法
  2.2 システムLSIの設計手順
  2.3 Deep Submicron LSIで必要な設計技術









23
レジュメ
配布

本講義に関するFAQ

担当: 内山(日立)
3章 LSI構成要素
  3.1 マイクロプロセッサ
  3.1.1 命令セットレベルのアーキテクチャ
  3.1.2 算術論理演算回路
  3.1.3 データパスと制御論理
  3.1.4 高速化手法(パイプラインとキャッシュ)
  3.1.5 RISCとCISC
  3.1.6 VLIWプロセッサとスーパースカラ方式
担当: 内山(日立)


同左







レジュメ
配布

担当: 田口(富士通)
3章 LSI構成要素
  3.2 メモリ
  3.2.1 メモリの分類
  3.2.2 DRAM
  3.2.3 SRAM
  3.2.4 ROM
  3.2.5 マイクロプロセッサとの接続
  3.2.6 DRAM混載チップ2)3.3 データ転送路(チップ内バス)








14

休講
休講

休講


21
レジュメ
配布

担当: 内山(日立)
3章 LSI構成要素
  3.3 データ転送路(チップ内バス)
  3.3.1 データ転送路種類
  3.3.2 バスの基本構成とその動作
担当: 山口(シャープ)
4章 機能論理設計
  4.1 ハードウェア記述言語(HDL)
  4.2 動作記述とRTL記述






28
レジュメ
配布

担当: 若林(NEC)
4章 機能論理設計
  4.3 高位合成
  4.4 順序回路合成(ステートマシン合成)
  4.5 組合せ論理合成
担当: 若林(NEC)
5章 レイアウト設計
  5.1 セルベース方式LSIのレイアウト設計手順
  5.2 Trレベルのセルレイアウト設計
  5.3 自動配置配線手法
  5.4 deep submicronに対応したレイアウト技術
  5.5 パッケージへの実装設計







レジュメ
配布

担当: 山本(沖電気)
6章 タイミング検証
  6.1 同期設計とタイミング問題
  6.2 CMOSゲートの遅延時間の算出モデル
  6.3 タイミング検証手法
  6.4 レイアウトのタイミング改善手法
  6.5 パッケージへの実装設計
担当: 山本(沖電気)

同左






11
レジュメ
配布

担当: 山本(沖電気)
7章 機能・論理検証
  7.1 機能・論理検証問題
  7.2 機能論理検証方式
VHDL(1)
近藤(Hd Lab)


実習(60号館3階第6端末室)
  • Synopsys toolsの使用方法について実習を実施
  • ただし、下記学生のみ実習が免除されます。
    • 電子・情報学専攻の大学院学生
    • 電子・情報通信学科の学生で、情報通信システムコースの学生、および、大附研究室の学生です。(逆に免除されないのは、電子・光システムコースの学生のうち、大附研究室の学生 を除いた学生です
【実施方法】
  • 90分を前半と後半に分けて実施。
  • 第一班(情報学科、情報科学専攻) 58名 18:00〜
  • 第二班(上記以外(免除者を除く)) 55名 18:45〜
【注意】
  • mseのID/PASSWDが必要です。未取得もしくはパスワードを忘れた人は、59号館4階の理工メディアセンター事務所で手続きを行ってください。

18
レジュメ
配布

担当: 宇佐見(東芝)
8章 低消費電力設計
  8.1 低消費電力設計はなぜ必要か
  8.2 SoC内部構造−電力を食うのはどの部分か−
  8.3 CMOSにおける電力消費の基礎
  8.4 設計フローと低消費電力化のポイント
  8.5 RTL設計での低消費電力手法
  8.6 論理合成での低消費電力手法
  8.7 消費電力の解析
  8.8 低消費電力設計:人手と自動設計の住み分け
  8.9 低消費電力化技術の向かう問題と課題
担当: 宇佐見(東芝)


同左


宇佐見先生の講義に関する質問は、こちらまで。(学内からのみ参照可)





25
レジュメ
配布

担当: 吉田(NEC)
9章 テスト設計
  9.1 テストの必要性と目的
  9.2 テストの種類と故障モデル
  9.3 テストパターン生成と故障シミュレーション
  9.4 メモリのテストパターン生成
  9.5 テスト容易性の定義
  9.6 テスト容易化設計の必要性
  9.7 テスト容易化設計と組込み自己テスト法
  9.8 コアモジュールのテスト
  9.9 SoCのためのテスト戦略
  9.10 今後の課題
VHDL(2)
近藤(Hd Lab)



左記講義VHDL(2)延長される場合あり)


レジュメ
配布

担当: 三木(日立)
10章 設計事例と今後の課題
  10.1 システムLSIの設計事例
  10.2 今後の課題
VHDL(3)
近藤(Hd Lab)



(左記講義VHDL(3)が延長される場合あり)




VHDL(4)
近藤(Hd Lab)

左記講義VHDL(4)が延長される場合あり)



集中セミナー(受講は希望者:ただし、修了証には受講有無が記載されるので注意) −実施時間帯は別途連絡
題材:DVD設計(予定)

12

集中セミナー1,2,3 (約4時間半)



13

集中セミナー4,5 (約3時間)



17

集中セミナー6,7,8 (約4時間半)



18

集中セミナー9,10 (約3時間)



19

集中セミナー11,12,13 (約4時間半)



20

集中セミナー14,15 (約3時間)




課題
 
出題日
先生
課題内容
4月16日→締切4月23日(火)正午
三木先生(日立)
講義中に配布したレジュメP.39に掲載された2問
4月23日→締切5月7日(火)正午
内山先生(日立)
講義中に配布したレジュメの最終ページに記載された問題
5月7日→締切5月14日(火)正午
田口先生(富士通)
講義中に配布したレジュメに記載
5月21日→締切5月28日(火)正午
(55N6F03A前の4限(内山先生)のレポートボックスに出すこと)
内山先生(日立)
講義中に配布したレジュメに記載(3.3章P.35)
5月21日→締切5月28日(火)正午
(55N6F03A前の5限(山口先生)のレポートボックスに出すこと)
山口先生(シャープ)
講義中に配布したレジュメに記載(最後の2ページ)
5月28日→締切6月4日(火)正午
若林先生(NEC)
講義中に配布したレジュメに記載
6月4日→締切6月11日(火)正午
山本先生(沖)
講義中に配布したレジュメに記載
6月11日→締切6月18日(火)正午
山本先生(沖)
講義中に配布したレジュメに記載
6月11日→提出は不要(ただし25日以降のVHDL講義では演習を完了していることを前提とする)
近藤(Hd Lab)
配付した「VHDL初級講座」レジュメの演習1から演習3を6月25日の講義のときまでに第6端末室で実施しておくこと. 実習を免除した者も実施しておくこと. 演習1から演習3に関しては何も提出する必要はない.
6月18日→締切6月25日(火)正午
宇佐見先生(東芝)
講義中に配布したレジュメに記載
6月25日→締切7月2日(火)正午
吉田先生(NEC)
講義中に配布したレジュメに記載
7月2日→締切7月9日(火)正午
三木先生(日立)
講義中に配布したレジュメに記載



講義に関するその他の情報


本講義の概要

 本講座はSTARC寄附講座であり(*)、電気4年、通信3年、情報3年、及び理工学研究科に設置されている。本講座では、高度情報化社会で重要な役割を果たすマルチメディア信号処理を核とする情報端末システムのハードウェア開発者ばかりか、システム開発者、ソフトウェア開発者を目指す人達のために、最適なシステムソリューションを追求するための方法論を論じ、複雑さに屈しない思考力と洞察力を修得することを目指す。
 「SoC設計技術A」では、チップ上でのシステム構築における高位設計手法、「SoC設計技術B」では、画像圧縮等、より実践的なシステムに密着した実装設計手法に関する基礎知識を修得する。講師は、授業計画に示す各章毎に、当該分野の最先端で活躍されている人を起用している。なお、単位取得者には半導体理工学研究センターより修了証が授与される予定。

*(株)半導体理工学研究センター(Semiconductor Technology Academic Research Center):1995年12月に設立された民間会社で、大手半導体メーカ11社(日立、日電、東芝、松下、富士通、三菱、ソニー、シャープ,サンヨー,ローム,沖)により運営されている。開発部では特に設計関連の専門家が高位設計環境等の開発に取り組む一方、研究推進部では国内の大学等の研究機関から半導体技術に係わる共同研究テーマを毎年公募し有数なテーマを選択して、資金的な援助と共に客員研究員を派遣し、研究強化と若手研究者の育成を進めている。(詳しくは http://www.starc.or.jp を参照)
 
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