2003年度  SoC設計技術B−LSI設計編−(STARC寄附講座)
授業計画

対象:電気4年以上、通信3年以上、情報3年以上、及び大学院理工学研究科

最新情報

2003.10.10 前期の「SoC設計技術B,C」の修了証を受け取っていない学生は、柳澤研究室に火曜日午後1時から3時の間に取りに行くこと。この時間でどうしても都合が悪い場合には応相談。なお、情報学科の3,4年生に限り、研究室経由で別途配布します。

2003.9.28 2003年度「SoC設計技術B,C(STARC寄附講座)」 単位取得者諸君へ
         −「修了証授与式」についてー

  SoC設計技術BおよびCの単位取得者に対して、単位取得を証明する「修了証」をSTARC((株)半導体理工学研究センター)のご厚意により発行いただけることになりました。単位取得者に対する修了証授与式を下記日程で実施いたしますので、必ず集合してください。
          日時: 10月7日(火) 18:00  場所: 57−202

2003.07.30 夏期集中セミナー事前課題の解答を掲載しました。

2003.07.18 レポート提出状況を更新しました。
2003.07.11 22:40 全てのレポートの提出状況を掲載しました。

2003.07.11 夏期集中セミナーの集合場所・集合時間等を掲載しました。

2003.07.10 7/8提出分(最終分)までのレポート提出状況を7/12にWEBで公開する予定です。万が一、レポート提出状況にミスがある場合には、7/22正午までにこちら まで連絡をお願いします。

2003.07.09 夏期集中セミナーのスケジュールを掲載しました。
2003.07.08 本日までの出欠確認結果を掲載しました。
2003.07.08 本日の課題はありません。また、これまでの課題の最終締切は7月15日正午です。以降は一切受け付けません。また、1通でも未提出がある場合、Fとなりますので注意してください。

2003.07.08 夏期集中セミナー受講者募集を締切ました(31名)

2003.07.01 本日の課題を掲載しました。本日までの出欠確認結果を掲載しました。

2003.07.01 早稲田大学 情報生産システム サマースクールの案内(システムLSI分野の人材育成のため、早稲田大学の理工学部で STARC 講座を受講された学生の方を対象に、下記の要領でサマースクールを行います)

2003.06.24 本日の課題と本日までの出欠確認結果を掲載しました。

2003.06.24 夏期集中セミナー受講者専用ページを開設しました。事前学習等の案内があります。

2003.06.19 夏期集中セミナー受講者決定(25名)

定員に空きがあるため、先着順で追加募集をします。希望者は、以下の6/3の案内に掲載した方法で電子メールを送ってください。

2003.06.17 本日の課題と本日までの出欠確認結果を掲載しました。
2003.06.16 6月3日までのレポート提出状況を掲載しました。
2003.06.12 10日のVHDL(1)の講義に対応するレポート提出はありません。各自、指定されている課題を次回のVHDL(2)受講までに自分のノート等にやっておいてください。
2003.06.10 本日までの出欠確認結果を掲載しました。
2003.06.03 本日の課題と本日までの出欠確認結果を掲載しました。

2003.06.03 夏期集中セミナー受講者募集開始−締切6月17日12:00−(定員42名)。

2003.05.28 昨日の若林先生の講義の補足資料を掲載しました。
2003.05.28 昨日までの出欠確認結果を掲載しました。
2003.05.28 昨日の課題に対する補足(レポートは1通にまとめて出すこと。4章の問題は講義資料掲載のものではなく、配布資料の問題であること)。
2003.05.27 本日の課題を掲載しました。
2003.05.20 本日の課題を掲載しました。5/20までの出欠確認結果を掲載しました。
2003.05.14 5/13までの出欠確認結果を掲載しました
2003.05.13 13日の課題を掲載しました。
2003.05.09 SoC設計技術B及びC科目登録漏れ学生一覧を掲載しました。
2003.05.07 6日の課題を掲載しました。
2003.04.28 これまでの出欠確認結果を掲載しました。
2003.04.23 22日の課題を掲載しました。レポート提出の締切日の詳細を掲載しました。
2003.04.21 欠席の扱いについて→学部要項、大学院要項に記載の通り公欠に該当する場合は学部もしくは大学院指定の欠席届を山名(51-11-05)まで提出してください。なお、欠席の場合も当日出題されているレポートを提出しなければなりません。(全てのレポートが提出され、平均点が3点以上なければFとなります)

2003.04.17 登録結果について

2003.04.07 講義内容を更新しました。
2003.04.04 科目登録用紙はこちら(大学院)、こちら(学部)を利用願います。
2003.03.31 7/8の5限実施予定(VHDL(4))を講師の都合により6限に変更します。本変更に伴い他科目履修等で出席できない場合も本コマに限り欠席扱いとはしません。
2003.03.31 Waseda-net(Web登録)トラブルに伴い、登録方法を以下のように変更します。

2003.3.23 本科目は抽選対象科目です。定員(100名)を超えた場合、抽選となります。このため、科目登録期間が一般の登録と異なりますので注意してください。 詳細を掲載しました。
2003.3.23 本ページを開設

 
授業日程(火曜4,5限 52−101) 2002.4〜2002.7 + オプション:セミナー(8月)

以下に授業の進め方の目安を示します。 なお、それぞれの回の内容は多少変わる可能性があります。 また、今後、以下の内容が変更される場合もあります。 なお、実際の授業の進捗状況によって、各回の授業内容が変わることもあ りますが、その場合には、実際の授業を優先させます。 

連絡事項
4限(14:40〜16:10)
5限(16:20〜17:50)

4月15日 休講
4月22日
レジュメ
配布

2003年度版「日経マイクロデバイス特別編集版

担当: 三木 (日立)
第1章 システムLSIとは
 1.1.システムLSIとは何か
 1.2.システムLSIへの変遷
 1.3.システムLSIの役割
 1.4.高集積度化・微細化と問題点
 1.5.本書の目的と構成
2章 システムLSI設計フロー
 2.1 システムLSI実装の種類
 2.2 システムLSIの設計手順
 2.3 設計技術動向
  2.3.1.LSI微細化に対する動向
  2.3.2.コンカレント設計
  2.3.3.LSI設計製造の分業体制
休講
5月6日

レジュメ
配布


担当: 内山(日立)
3章 LSI構成要素
 3.1.マイクロプロセッサ
 3.1.1. マイクロプロセッサの概要:開発動向
 3.1.2. CISCとRISC:アーキテクチャとは?
 3.1.3.命令セットと動作フロー:SHアーキテクチャ
 3.1.4.パイプライン制御
 3.1.5.仮想記憶:仮想記憶方式
 3.1.6.キャッシュメモリ:記憶階層
 3.1.7.マイクロプロセッサの製品例
 (1) SH-4:スーパースカラとベクトル演算
 (2) SH-5:SIMD方式
 (3) FR500:VLIWアーキテクチャ
担当: 内山(日立)


同左

5月13日
レジュメ
配布

担当: 田口(富士通)
3章 LSI構成要素
 3.2.メモリ
 3.2.1.メモリの基礎技術
 3.2.1.1.SRAM
 3.2.1.2.DRAM
 3.2.1.3.Flash EEPROM
 3.2.1.4.FERAM
 3.2.1.5.各種メモリの特性
 3.2.2.メモリ・インターフェイス
 3.2.3.マルチ・ポート・メモリ
 3.2.4.DRAM混載
 3.2.5.SoCとSIP
担当: 内山(日立)
3章 LSI構成要素
 3.3.システムLSIのバス・インタフェース
 3.3.1.バス・インタフェースの種類と定義:システムLSIのバス構成例
 3.3.2.内部バス:基本的なシステムバス構成
 3.3.3.外部バス:メモリバス
5月20日
レジュメ
配布

担当: 山口(シャープ)
4章 機能論理設計
 4.1.ハードウェア記述言語(HDL)
 4.1.1.HDLとは?
 4.1.2.HDLの歴史
 4.1.3.主要なHDL
 4.1.4.HDLの動向
 4.2.動作レベル記述とRTL記述
 4.2.1.ハードウェア設計と抽象度
 4.2.2.動作レベル記述
 4.2.3.RTL (Register Transfer Level)記述
 4.2.4.動作レベルからRTレベルへの設計
休講
5月27日
レジュメ
配布


補足資料
「4章(2)スライドNoー40”動作合成のまとめ”の課題2の回答例」
担当: 若林(NEC)
4章 機能論理設計
 4.3.動作合成概論
 4.3.1.設計工程と設計レベルの抽象化
 4.3.2.動作合成の効果
 4.3.3.動作合成の原理
 4.3.4.動作合成の詳細(講義ではあまり触れない)
 4.4.論理合成
 4.4.1.順序回路生成
 4.4.2.組み合わせ回路生成・最適化
担当: 若林(NEC)
5章 機能・論理検証
 5.1.機能・論理検証問題(各設計工程における機能論理検証問題の定義)
 5.2.機能検証検証方式
 5.2.1.シミュレーション方式
 5.2.2.エミュレーション方式
 5.2.3.形式検証方式
 5.2.4.HW/SW協調検証方式
 5.2.5.サイクルレベルの検証
 5.3.検証方式の比較

6月3日
レジュメ
配布

担当: 山本(沖電気)
6章 レイアウト設計
 6.1.セルベース方式LSIのレイアウト設計手順
 6.2.セル・ライブラリ設計
 6.2.1.論理セルの構造
 6.2.1.1.NMOS/ PMOSトランジスタ
 6.2.1.2.インバータ/NAND/フリップ・フロップ
 6.2.2.セル・ライブラリ設計フロー
 6.2.2.1.設計フロー/セル基本構造設計/回路設計
 6.2.2.2.レイアウト設計と検証
 6.2.3.チップ設計への提供情報
 6.2.3.1.提供情報の概要
 6.2.3.2.遅延計算モデル/遅延のトレンド 6.3.チップ・レイアウト設計 6.3.1.チップ・レイアウト設計の概要
 6.3.2. レイアウト設計の課題
 6.3.2.1.設計期間/面積/微細化に関わる課題
 6.3.3.他工程とのインタフェース
 6.3.3.1.セル・ライブラリ設計/論理設計/製造
 6.3.4.チップ構造
 6.3.4.1.パッケージとI/Oフレームとコア
 6.3.4.2.WireとVia/信号配線と電源配線
 6.3.5.フロアプラン設計
 6.3.5.1.フロアプラン設計とは
 6.3.5.2.階層の再編成とアスペクト比/ハードモジュール
 6.3.5.3.電源の配線と配線構造
 6.3.6.配置・配線
 6.3.6.1.配置・配線と自動配置手法
 6.3.6.2.配置評価基準と自動配置/自動配線手法(例)
担当: 山本(沖電気)

同左

6月10日

レジュメ
配布

VHDL(1)
近藤(Hd Lab)
休講
6月17日
レジュメ
配布

担当: 高見沢(NEC)
7章 タイミング検証
 7.1.LSIにおける遅延時間の算出手法
 7.1.1. MOSトランジスタ/論理ゲートの遅延
 7.1.2.ゲート遅延計算手法
 7.1.3.微細化に伴う遅延計算の高度化
 7.1.4. RC(寄生抵抗・容量)抽出手法
 7.2.同期設計とタイミング問題
 7.2.1.遅延計算〜タイミング゙検証フロー
 7.2.2. LSIにおけるタイミング検証項目
 7.3.タイミング検証手法
 7.3.1.動的タイミング゙検証と静的タイミング検証
 7.3.2. 遅延シミュレーシヨン手法
 7.3.3.スタテイック・パス解析手法
 7.3.4.タイミング検証手法の比較と課題
 7.4.レイアウト設計とタイミング最適化手法
 7.4.1.タイミング゙最適化手法
 7.4.2.タイミング゙ドリブンレイアウト
 7.4.3. 回路最適化手法
VHDL(2)
近藤(Hd Lab)
6月24日
レジュメ
配布

担当: 宇佐美(東芝)
8章 低消費電力設計
 8.1.低消費電力設計はなぜ必要か
 8.2.SoCの内部構造−電力を食うのはどの部分かー
 8.3.CMOSにおける電力消費の基礎
 8.4.設計フローと低消費電力化のポイント
 8.5.論理合成での低消費電力手法
 8.6.RTL設計での低消費電力手法
 8.7.アーキテクチャレベルの低消費電力設計
 8.8.消費電力の解析
 8.9.低消費電力設計: 人手と自動設計のすみ分け
 8.10. 低消費電力化技術の向かう方向 と 課題
担当: 宇佐美(東芝)


同左

7月1
レジュメ
配布

担当: 吉田(NEC)
9章 テスト容易化設計
 9.1.テスト容易化設計の必要性
 9.1.1.LS I のテストとは
 9.1.2.テストの基礎知識
 9.1.3.テスト容易化設計の必要性
 9.2.テスト容易化設計
 9.2.1.テスト容易化設計手法
 9.2.2.スキャンテスト手法
 9.2.3.バウンダリスキャン
 9.2.4.BIST法
 9.3.コアベースシステムのテスト
 9.3.1.コア分離テスト手法
 9.3.2.ダイレクトアクセス方式
 9.3.3.テストバス方式
 9.3.4.バウンダリスキャン方式
 9.3.5.コアテスト標準化
 9.4.SoCのためのテスト戦略
 9.5.今後の課題     
VHDL(3)
長谷川(Hd Lab)


7月8日
レジュメ
配布

担当: 三木(日立)
10章 設計事例と今後の課題
10.1.システムLSIの設計事例
10.1.1.システムLSIの応用例
10.1..2.システムLSIの基本構成
10.1..3.システムLSIの今後
10.2.今後の課題
10.2.1.システムLSIの課題概要
10.2.2.物理的課題
10.2.3.設計技術の課題
10.2.4.半導体事業の課題
(注意)
本講義は事情により6限(18:00-19:30)に実施する。
(6限に他の科目を履修している場合は、本講義欠席の場合も欠席扱いとはしない)
VHDL(4)
長谷川(Hd Lab)

集中セミナー(受講は希望者:ただし、修了証には受講有無が記載されるので注意)
−実施時間帯は別途連絡−
題材:DVD設計
土日を除く6日間:合計時間数22.5時間
8月1日〜8月8日に実施
夏期集中セミナー受講者専用ページ(学内からのみ)


課題
 
出題日
先生
課題内容
4/22 三木 配付資料に記載されている第2章 演習問題(slide 42)の(1), (2)
5/6 内山 配布資料に記載の通り。
5/13 田口 配布資料に掲載の通り。(*)
5/13 内山 配布資料に掲載の通り。(*)
5/20 山口 配布資料に掲載の通り。
5/27 若林 4章の問題、5章の問題(その1その2その3)講義中に配布したのは4章の問題のみですが、上記の5章の問題にも解答すること)
注意:4章の問題は講義資料の最後のページに記載されてるものではなく,配布したプリントに記載された問題です。4章と5章の問題は別のレポートではなく,ひとつのレポートとして提出すること。
6/3 山本 配布資料に掲載の通り。
6/17 高見沢 配布資料に掲載の通り。
7/1 吉田 配布資料に掲載の通り。(長谷川先生のVHDLに関する課題は提出不要です)

(*)これらのレポートは別々に作成し, それぞれに対応するレポートボックスに提出すること。

講義に関するその他の情報


本講義の概要

 本講座はSTARC寄附講座であり(*)、電気4年、通信3年、情報3年、及び理工学研究科に設置されている。本講座では、高度情報化社会で重要な役割を果たすマルチメディア信号処理を核とする情報端末システムのハードウェア開発者ばかりか、システム開発者、ソフトウェア開発者を目指す人達のために、最適なシステムソリューションを追求するための方法論を論じ、複雑さに屈しない思考力と洞察力を修得することを目指す。
 「SoC設計技術A」では、チップ上でのシステム構築における高位設計手法、「SoC設計技術B」では、画像圧縮等、より実践的なシステムに密着した実装設計手法に関する基礎知識を修得する。講師は、授業計画に示す各章毎に、当該分野の最先端で活躍されている人を起用している。なお、単位取得者には半導体理工学研究センターより修了証が授与される予定。

*(株)半導体理工学研究センター(Semiconductor Technology Academic Research Center):1995年12月に設立された民間会社で、大手半導体メーカ11社(日立、日電、東芝、松下、富士通、三菱、ソニー、シャープ,サンヨー,ローム,沖)により運営されている。開発部では特に設計関連の専門家が高位設計環境等の開発に取り組む一方、研究推進部では国内の大学等の研究機関から半導体技術に係わる共同研究テーマを毎年公募し有数なテーマを選択して、資金的な援助と共に客員研究員を派遣し、研究強化と若手研究者の育成を進めている。(詳しくは http://www.starc.or.jp を参照)
 
本ページの著作権と使用許諾条件

Copyright (C) SoC設計技術運営委員, WASEDA University. 2001-2003. All rights reserved.
First Drafted Mar. 23, 2003 / Last Revised Mar. 23, 2003
Hayato YAMANA / yamana@yama.info.waseda.ac.jp